Silikoncarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen

Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen

Beschreibung des Produkts:

Dieses Produkt ist dopantenfrei und eignet sich daher für eine Vielzahl von Anwendungen.Wir bieten maßgeschneiderte Platten mit maßgeschneiderten Formen an, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechenSie können Ruhe haben, wenn Sie wissen, dass unsere SiC-Substrate Ihre Erwartungen übertreffen werden.

Unsere SiC-Substrate haben eine Wärmeleitfähigkeit von 4,9 W/mK, was sie sehr effizient bei der Wärmeverteilung macht.Da Überhitzung empfindliche Komponenten beschädigen kannMit unseren SiC-Substraten können Sie sicher sein, dass Ihre Geräte auch bei starkem Gebrauch kühl bleiben.

Die Oberflächenrauheit unserer SiC-Substrate beträgt Ra < 0,5 nm, was eine glatte und gleichmäßige Oberfläche gewährleistet.wo selbst die kleinsten Unvollkommenheiten die Leistung des Geräts negativ beeinflussen könnenMit unseren SiC-Substraten können Sie sicher sein, dass Ihre Geräte von höchster Qualität sind.

Unsere SiC-Substrate haben einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 4,5 X 10-6/K. Das macht sie hochstabil und temperaturbeständig.Sie können sicher sein, dass Ihre Geräte ihre Leistung auch unter extremen Bedingungen erhalten.

Bei uns wissen wir, dass jedes Projekt einzigartig ist, deshalb bieten wir Ihnen maßgeschneiderte Platten mit maßgeschneiderten Formen an, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen.rechteckige Platte oder eine großeWir können Ihnen das SiC-Substrat liefern, das Sie brauchen.

Zusammenfassend ist unser SiC Substrat Produkt die ideale Wahl für alle, die nach leistungsfähigen, zuverlässigen Siliziumkarbid-Wafern suchen.Wärmeleitfähigkeit von 4.9 W/mK, Oberflächenrauheit von Ra<0.5nm und thermischer Expansionskoeffizient von 4.5 X 10-6/K, unsere SiC-Substrate liefern erstklassige Leistung auch in den anspruchsvollsten Anwendungen.Kontaktieren Sie uns heute, um mehr über unsere maßgeschneiderten Platten und maßgeschneiderten Formen zu erfahren.

Eigenschaften:

• Produktbezeichnung: SiC-Substrat
• Oberfläche: DSP
• Silikonkarbidwafer: 4H-N SIC-Wafer, Si-Gesichts-CMP, C-Gesichts-Mp
• Oberflächenrauheit: Ra < 0,5 nm
• Widerstandsfähigkeit0.015~0.028ohm.cm,oder >1E7ohm.cm
• Wärmeleitfähigkeit: 4,9 W/mK
• Oberflächenflachheit: λ/10@632,8 nm

Anwendungen:

Die dielektrische Konstante von ZMSH SIC010 beträgt 9.7Der thermische Ausdehnungskoeffizient beträgt 4,5 X 10-6/K. Diese Eigenschaften machen es zu einem zuverlässigen Produkt für verschiedene Anwendungen.

Die ZMSH SIC010 kann in verschiedenen Anlässen und Szenarien eingesetzt werden.Dieses Produkt ist aufgrund seiner hohen Druckfestigkeit und des thermischen Expansionskoeffizienten perfekt für diese Anwendung.

Die Größe dieses Produkts kann nach den Anforderungen des Kunden angepasst werden. Es kann bei der Herstellung von 1x1cm oder 0,5x0,5mm SiC-Substraten verwendet werden.4h-HPSI-SIC-Wafer können mit ZMSH SIC010 hergestellt werdenDiese Waferart hat eine hohe Reinheit und wird in der Herstellung von elektronischen Geräten wie Stromgeräten, Sensoren und LEDs verwendet.

Anpassung:

Verpackung und Versand:

Produktverpackung:

• Das SiC-Substrat wird in einem robusten Karton verpackt, um einen sicheren Transport zu gewährleisten.
• Das Substrat wird in einen Kunststoffbehälter gelegt, um Schäden während des Versands zu vermeiden.
• Der Behälter wird mit dem Produktnamen und -code sowie Handhabungsanweisungen versehen.

Versand:

• Das SiC-Substrat wird über einen zuverlässigen Kurierdienst versandt, um eine rechtzeitige Lieferung zu gewährleisten.
• Das Substrat wird ordnungsgemäß mit allen notwendigen Versandinformationen, einschließlich der Adresse und Kontaktinformationen des Empfängers, gekennzeichnet.
• Alle notwendigen Zolldokumente werden mit der Sendung geliefert.
• Kunden erhalten eine Nachverfolgungsnummer, um den Fortschritt ihrer Sendung zu überwachen.