SiC-Substrat Hochtemperatur- und Hochelektronik-Anwendungen Epitaxialwafer-Substrat

SiC-Substrat Hochtemperatur- und Hochelektronik-Anwendungen Epitaxialwafer-Substrat

Beschreibung des Produkts:

Das SiC-Substrat hat außerdem eine Oberflächenrauheit von Ra<0,5 nm, was für Anwendungen mit hoher Präzision unerlässlich ist.einschließlich ElektronikDas Substrat hat eine Zugfestigkeit von > 400 MPa, was es sehr langlebig und belastungsfähig macht.

Das SiC-Substrat hat eine Dichte von 3,21 G/cm3, was ideal für Anwendungen ist, die ein leichtes Material erfordern.Das Substrat ist auch in maßgeschneiderten Formplatten erhältlich., so dass es für verschiedene Anwendungen geeignet ist.

Zusammenfassend ist das SiC-Substrat ein hochwertiges Produkt, das eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, Oberflächenhärte und Zugfestigkeit bietet.Das Leichtgewicht und die Anpassbarkeit machen es ideal für verschiedene Anwendungen in verschiedenen Branchen.

Eigenschaften:

• Produktbezeichnung: SiC-Substrat
• Oberfläche: Si-Seite CMP; C-Seite Mp;
• Oberflächenrauheit: Ra<0,5 nm
• Dichte: 3,21 G/cm3
• Oberflächenhärte: HV0,3> 2500
• Dielektrische Konstante: 9.7

Anwendungen:

Das SiC-Substratmaterial hat einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 4,5 X 10-6/K und ist ein Hochleistungs-Substrattyp. Die Oberflächenflächigkeit beträgt λ/10@632,8 nm und die Oberflächenhärte HV0,3>2500.Das verwendete Material ist SiC-Monokristall, ein hochwertiges Material, das für seine Langlebigkeit und Festigkeit bekannt ist.

Diese Siliziumkarbid-Wafer eignen sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter elektronische Geräte, LED-Beleuchtung und Leistungselektronik.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Das Substrat kann an bestimmte Formen und Größen angepasst werden, was es zu einem vielseitigen Produkt für eine Reihe von Branchen macht.

Wenn Sie maßgeschneiderte Form-SIC-Platten benötigen, ist ZMSH SIC010 die perfekte Lösung. Mit seinem hochwertigen Material und seiner präzisen Schneidfähigkeit kann das Substrat auf Ihre Bedürfnisse zugeschnitten werden.Ob Sie eine kleine oder große Menge benötigen, kann ZMSH SIC010 Ihnen das Produkt zu einem wettbewerbsfähigen Preis anbieten.

Anpassung:

ZMSH SIC Dienstleistungen zur Anpassung von Substratprodukten:

• Markenbezeichnung: ZMSH
• Modellnummer: SIC010
• Herkunftsort: CHINA
• Zertifizierung: Rohs
• Mindestbestellmenge: 10%
• Preis: je nach Fall
• Verpackungsdetails: maßgeschneiderte Plastikbox
• Lieferzeit: 2-4 Wochen
• Zahlungsbedingungen: T/T
• Versorgungsfähigkeit: 1000 Stück/Monat
• Oberfläche: Si-Seite CMP; C-Seite Mp;
• Erhältliche Größen: 0,5x0,5 mm; 1x1 mm; 5x5 mm; 10x10 mm
• Druckfestigkeit: > 1000 MPa
• Zugfestigkeit: > 400 MPa
• Dichte: 3,21 G/cm3

Wir bieten kundenspezifische SiC-Wafer- und SiC-Laser-Schnittdienste an. Unsere Siliziumkarbid-Wafer sind von hoher Qualität und erfüllen die Industriestandards.

Verpackung und Versand:

Produktverpackung:

Das SiC-Substrat wird sicher in einem harten Kunststoffbehälter verpackt, um Schäden während des Versands zu vermeiden.und alle notwendigen Handhabungsanweisungen.

Versand:

Das SiC-Substrat wird über einen vertrauenswürdigen Spediteur wie UPS oder FedEx versandt, um eine sichere und rechtzeitige Lieferung zu gewährleisten.Die Versandkosten werden anhand des Bestimmungsortes und des Gewichts des Pakets berechnet.Kunden können ihre Bestellungen mit der angegebenen Tracking-Nummer verfolgen.