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Anpassungsfähiges Siliziumcarbid (SiC) -Substrat Laserschneiden für Dichte-Materialien
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Anpassungsfähiges Siliziumcarbid (SiC) -Substrat Laserschneiden für Dichte-Materialien

Herkunftsort China
Markenname ZMSH
Modellnummer SiC-Substrat
Produkt-Details
Oberfläche:
Si-Oberflächen-CMP; C-Gesicht Mp;
Abbruchspannung:
5,5 MV/cm
Dichte:
3.21 G/cm3
Wärmeleitfähigkeit:
4,9 W/mK
Dielektrische Konstante:
9,7
Widerstand:
0,015 ~ 0,028 Ohm.cm; Oder >1E7ohm.cm;
Oberflächenhärte:
HV0,3>2500
Dotierstoff:
N/A
Produkt-Beschreibung

Anpassungsfähiges Siliziumcarbid (SiC) -Substrat Laserschneiden für Dichte-Materialien

Beschreibung des Produkts:

Unser SiC-Substrat ist in maßgeschneiderten SiC-Platten mit Standardgrößen von 10x10 mm und 5x5 mm sowie maßgeschneiderten SiC-Chips erhältlich, um Ihren spezifischen Bedürfnissen zu entsprechen.Das SiC-Substrat ist so konzipiert, dass es eine maximale Wärmeleitfähigkeit bietet, so dass es perfekt für den Einsatz in Hochleistungsgeräten geeignet ist.

Das SiC-Substrat ist dopantfrei und somit ideal für die Forschung und Entwicklung neuer elektronischer Geräte.Das Substrat ist hochstabil und hält hohen Temperaturen und hohen Spannungen stand, so dass es perfekt für den Einsatz unter rauen Bedingungen ist.

Insgesamt ist unser SiC-Substrat ein zuverlässiges und hochwertiges Substrat, das in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen verwendet werden kann.in Kombination mit seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und Stabilität, machen sie zu einem wertvollen Mittel bei der Entwicklung von Hochleistungsgeräten.

 

Eigenschaften:

  • Produktbezeichnung: SiC-Substrat
  • Abbruchspannung: 5,5 MV/cm
  • Zugfestigkeit: > 400 MPa
  • Wärmeausdehnungskoeffizient: 4,5 X 10-6/K
  • Dielektrische Konstante: 9.7
  • Oberfläche: Si-Gesicht CMP; C-Gesicht Mp

Anwendungen:

ZMSH SIC010 SiC Substrat ist ein hochwertiges Substrat aus 4H-Semi HPSI Sic Wafer. Es wird in China mit strenger Qualitätskontrolle hergestellt und ist von ROHS zertifiziert.Das Substrat ist in 0Die Oberflächenrauheit des Substrats beträgt Ra< 0,5 nm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 nm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 nm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 mm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 mm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 mm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 nm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 nm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 nm, die Oberflächenrauheit beträgt Ra< 0,5 nm.Gewährleistung hoher Präzision und Genauigkeit des Endprodukts.

Das ZMSH SIC010 SiC Substrat ist eine beliebte Wahl für verschiedene Branchen, einschließlich der Halbleiterindustrie, wo es als Substrat für das Wachstum von Epitaxialschichten verwendet wird.Es wird auch in der Leistungselektronik verwendetDie hohe Oberflächenhärte des Substrats von HV0,3>2500 macht es ideal für Anwendungen, die Langlebigkeit und Widerstandsfähigkeit erfordern.

Das ZMSH SIC010 SiC Substrat ist für den Kauf nach Fall mit einer Mindestbestellmenge von 10 Stück erhältlich.Die Lieferzeit beträgt 30 Tage.Die Lieferkapazität beträgt 1000 Stück pro Monat, so dass die Kunden immer das Substrat erhalten können, das sie benötigen, wenn sie es brauchen.

Insgesamt ist das ZMSH SIC010 SiC Substrat eine ausgezeichnete Wahl für alle, die ein hochwertiges Substrat für ihre Anwendungen suchen.und Vielseitigkeit eignen sie für eine Vielzahl von Gelegenheiten und Szenarien.Egal, ob Sie eine 4H-Semi HPSI Sic Wafer, ein 1x1cm Substrat oder ein 0,5x0,5mm Substrat benötigen, das ZMSH SIC010 SiC Substrat ist die perfekte Wahl für Ihre Bedürfnisse.

 

Anpassung:

  • Markenbezeichnung: ZMSH
  • Modellnummer: SIC-Substrat
  • Herkunftsort: CHINA
  • Mindestbestellmenge: 10%
  • Preis: je nach Fall
  • Verpackungsdetails: maßgeschneiderte Plastikbox
  • Lieferzeit: 2-4 Wochen
  • Zahlungsbedingungen: T/T
  • Versorgungsfähigkeit: 1000 Stück/Monat
  • Oberflächenrauheit: Ra<0,5 nm
  • Wärmeleitfähigkeit: 4,9 W/mK
  • Substratart: Substrat
  • Zusatzstoffe:
  • Erhältlich: 1x1cm,0.5x0.5mm
    • SiC-Platten mit individueller Form verfügbar
  • Erhältliche Größen: 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll
 

Verpackung und Versand:

Produktverpackung:

Das SiC-Substrat wird in einem Karton mit Schaumstoffverpackungen verpackt, um Schäden während des Transports zu vermeiden.Jedes Substrat wird einzeln in ein antistatisches Material gewickelt, um vor elektrostatischer Entladung zu schützen.Die Verpackung wird auch mit dem Produktnamen, der Menge und allen notwendigen Handhabungsanweisungen versehen.

Produktversand:

Das SiC-Substrat wird über einen seriösen Kurierdienst versandt, wobei die Versandart vom Standort und den Vorlieben des Kunden abhängt.Kunden erhalten eine Tracking-Nummer, um den Fortschritt ihrer Sendung zu überwachen.Die Lieferzeiten variieren je nach Bestimmungsort, aber Kunden können erwarten, dass ihre Bestellung innerhalb von 7-10 Werktagen eintrifft.

Treten Sie mit uns jederzeit in Verbindung

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, Dianshanhu-Allee, Qingpu-Bereich, Shanghai-Stadt, CHINA
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