6inch sic Substrate, 6inch sic Oblaten, sic Kristallbarren,
sic Kristallblock, sic Halbleitersubstrate, Silikon-Karbid-Oblate
6 Zoll Durchmesser, Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation | ||||||||
Grad | Nullmpd-Grad | Produktions-Grad | Forschungs-Grad | Blinder Grad | ||||
Durchmesser | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
ThicknessΔ | 350 μm±25μm oder 500±25un | |||||||
Oblaten-Orientierung | Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu< 1120=""> ±0.5° für 4 H-N On die Achse: <0001> ±0.5° für 6H-SI/4H-SI | |||||||
Primärebene | {10-10} ±5.0° | |||||||
Flache hauptsächlichlänge | 47,5 mm±2.5 Millimeter | |||||||
Randausschluß | 3 Millimeter | |||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
Micropipe-Dichte | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||
Widerstandskraft | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
Rauheit | Polnisches Ra≤1 Nanometer | |||||||
CMP Ra≤0.5 Nanometer | ||||||||
Sprünge durch Licht der hohen Intensität | Kein | 1 gewährt, ≤2 Millimeter | Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm | |||||
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤2% | Kumulativer Bereich ≤5% | |||||
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität | Kein | Kumulatives area≤2% | Kumulatives area≤5% | |||||
Kratzer durch Licht der hohen Intensität | 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | |||||
Randchip | Kein | 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder | 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder | |||||
Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität | Kein |
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